此(ci)中，“宽禁带半导体用超(chao)高纯碳化(hua)(hua)硅资料制备关头(tou)手艺”初(chu)创气(qi)相法(fa)工艺，建成(cheng)国(guo)际(ji)(ji)首(shou)条年产300吨出产线，全(quan)体到(dao)达(da)国(guo)际(ji)(ji)抢先程(cheng)度(du)(du)。“集成(cheng)电路用电子级六氯乙硅烷制备关头(tou)手艺”全(quan)体到(dao)达(da)国(guo)际(ji)(ji)进步前辈程(cheng)度(du)(du)，颗粒度(du)(du)节制到(dao)达(da)国(guo)际(ji)(ji)抢先程(cheng)度(du)(du)。这(zhei)标记着(zhe)我国(guo)第三代半导体及高纯电子特气(qi)范畴(chou)国(guo)产化(hua)(hua)完(wan)成(cheng)严重冲破(po)。
